IPD80R1K4P7 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2,7А, 32Вт

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IPD80R1K4P7 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 2,7А, 32Вт
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 32 W |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.4 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Артикул | 00-00054722 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 8 ns |
| Время спада | 20 ns |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | IPD80R1K4P7 SP001422564 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | TO-252-3 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Технология | Si |
| Типичное время задержки выключения | 40 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Ширина | 6.22 mm |
- Цена: 116,25 ₴

