2N5657G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 10 МГц, 20 Вт, 500 мА, 5 hFE
118,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00063886
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
2N5657G Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 10 МГц, 20 Вт, 500 мА, 5 hFE
118,75 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
2N5657G Транзистор биполярный
Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 10 МГц, 20 Вт, 500 мА, 5 hFE
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Артикул | 00-00063886 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 375 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 10 MHz |
| Рабочая температура | - 65 C ... + 150 C |
| Тип корпуса | TO-225-3 |
- Цена: 118,75 ₴
