Корзина
Інтернет-магазин ЗНАКОМО! На деякі товари може бути передплата! Відправка від 1 до 5 днів!
+380 (97) 037-75-90
+380 (73) 156-87-00
+380 (50) 547-59-69
Корзина

IRF7406PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Rси(вкл): 45...70 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:

IRF7406PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Rси(вкл): 45...70 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:, фото 1

115 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00031841
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
IRF7406PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Rси(вкл): 45...70 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:IRF7406PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Rси(вкл): 45...70 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В:
115 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRF7406PBF Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: P: Uси: 30 В: Rси(вкл): 45...70 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Uзатв(макс): 20 В: Qзатв: 39.3 нКл
Основные
ПроизводительInfineon
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Id - непрерывный ток утечки- 5.8 A
Pd - рассеивание мощности2.5 W
Qg - заряд затвора59 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток70 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток- 30 V
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток- 1 V
Артикул00-00031841
Вид монтажаSMD/SMT
Время нарастания33 ns
Время спада47 ns
Высота1.75 mm
Длина4.9 mm
Другие названия товара №SP001551328
Канальный режимEnhancement
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
КонфигурацияSingle Quad Drain Triple Source
КорпусSO-8
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура- 55 C
Полярность транзистораP-Channel
ТехнологияSi
ТипHEXFET Power MOSFET
Тип транзистора1 P-Channel
Типичное время задержки выключения45 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Ширина3.9 mm
  • Цена: 115 ₴