FDS4465 Power MOSFET, P Channel, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SO8-150-1.27, Surface Mount

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FDS4465 Транзистор полевой MOSFET
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 13.5 A, 0.0085 ohm, SO8-150-1.27, Surface Mount
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток _x000D_ утечки | 13.5 A |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 120 nC |
| Rds Вкл - _x000D_ сопротивление сток-исток | 8.5 mOhms |
| Vds - напряжение _x000D_ пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое _x000D_ напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Артикул | 00-00079586 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 24 ns |
| Время спада | 140 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна _x000D_ характеристики прямой передачи - Мин. | 70 S |
| Полярность _x000D_ транзистора | P-Channel |
| Рабочая температура | - 55 C … + 175 C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | SOIC-8 |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время _x000D_ задержки выключения | 300 ns |
| Типичное время _x000D_ задержки при включении | 20 ns |
- Цена: 111,25 ₴

