IRF7493PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 80 В: Rси(вкл): 15 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В:
![IRF7493PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 80 В: Rси(вкл): 15 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В:, фото 1](https://images.prom.ua/7440583329_irf7493pbf-mosfet-silovoj.jpg)
105 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00031869
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
IRF7493PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 80 В: Rси(вкл): 15 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В:
![IRF7493PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 80 В: Rси(вкл): 15 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В:](https://images.prom.ua/7440583329_w640_h640_irf7493pbf-mosfet-silovoj.jpg)
105 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRF7493PBF Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 80 В: Rси(вкл): 15 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В: Qзатв: 31 нКл
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 9.2 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 31 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 15 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 80 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Артикул | 00-00031869 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 7.5 ns |
| Время спада | 12 ns |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Другие названия товара № | SP001555476 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Технология | Si |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8.3 ns |
| Ширина | 3.9 mm |
- Цена: 105 ₴
