SIS476DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30 В: 40 A (Tc): ~28–40 A, RDS(on) ≈ 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: мощность рассеяния 3.7 W
103,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00079153
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
SIS476DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30 В: 40 A (Tc): ~28–40 A, RDS(on) ≈ 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: мощность рассеяния 3.7 W
103,75 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SIS476DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30 В: 40 A (Tc): ~28–40 A, RDS(on) ≈ 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: мощность рассеяния 3.7 W (Ta) / 52 W (Tc)
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00079153 |
| Заряд затвора | 77 nC |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая _x000D_ температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | - 55 C |
| Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 16 V, + 20 V |
| Напряжение пробоя _x000D_ сток-исток | 30 V |
| Непрерывный ток _x000D_ утечки | 40 A |
| Полярность _x000D_ транзистора | N-Channel |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвор-исток | 1 V |
| Рассеивание мощности | 52 W |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток | 2.05 mOhms |
- Цена: 103,75 ₴
