IRLD110PBF MOSFET силовой транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 8 А: Uзатв(макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3 Вт

102,50 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

102,50 ₴

В наличии

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

+380 (97) 037-75-90или пишите на мэйл и чат
+380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
+380 (50) 547-59-69
Дмитрий
ул. Академика Павлова 120, Харьков, Украина

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя

Описание

Характеристики

Информация для заказа

IRLD110PBF Транзистор полевой MOSFET

MOSFET силовой транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 8 А: Uзатв(макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3 Вт

Основные
Производитель	Vishay Intertechnology
Дополнительные характеристики
Состояние	Новое
Пользовательские характеристики
Rds(On) (Макс.) при _x000D_ Id, Vgs	540 мОм при 600 _x000D_ мА, 5 В
Vgs(th) (макс.) при _x000D_ Id	2 В при 250 мкА
Артикул	00-00032353
ВГС (Макс.)	±10 В
Входная емкость (Цисс.) _x000D_ (макс.) при Vds	250пФ при 25В
Корпус	HD1
Напряжение _x000D_ сток-исток (Vdss)	100В
Плата за ворота (Qg) _x000D_ (Макс.) при Vgs	6,1 нК при 5 В
Потеря мощности _x000D_ (макс.)	1,3 Вт (Та)
Продукт	МОП-транзистор
Рабочая температура	От -55°C до 175°C _x000D_ (ТДж)
Рабочее напряжение _x000D_ (макс. Rds(Вкл.), мин. Rds(Вкл))	4В, 5В
Тип полевого _x000D_ транзистора	N-канал
Ток — непрерывный, _x000D_ слив (Id) при 25°C	1А (Та)