Корзина

IRF710PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс(25°C): 6 А: Rси(вкл): 3.6 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:

IRF710PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс(25°C): 6 А: Rси(вкл): 3.6 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:, фото 1

88,75 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00031796
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
IRF710PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс(25°C): 6 А: Rси(вкл): 3.6 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:IRF710PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс(25°C): 6 А: Rси(вкл): 3.6 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
88,75 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRF710PBF Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 400 В: Iс(25°C): 6 А: Rси(вкл): 3.6 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
Основные
ПроизводительVishay Intertechnology
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Rds(On) (Макс.) при _x000D_ Id, Vgs3,6 Ом при 1,2 А, _x000D_ 10 В
Vgs(th) (макс.) при _x000D_ Id4 В при 250 мкА
Артикул00-00031796
ВГС (Макс.)±20 В
Входная емкость (Цисс.) _x000D_ (макс.) при Vds170пФ при 25В
КорпусTO-220AB
Напряжение _x000D_ сток-исток (Vdss)400В
Плата за ворота (Qg) _x000D_ (Макс.) при Vgs17 нК при 10 В
Потеря мощности _x000D_ (макс.)36 Вт (ТС)
ПродуктМОП-транзистор
Рабочая температураОт -55°C до 150°C _x000D_ (ТДж)
Рабочее напряжение _x000D_ (макс. Rds(Вкл.), мин. Rds(Вкл))10 В
Тип полевого _x000D_ транзистораN-канал
Ток — непрерывный, _x000D_ слив (Id) при 25°C2А (Тс)
  • Цена: 88,75 ₴