IRLD024PBF Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 20 А: @Uзатв(ном): 1.2 В: Uзатв(макс): 10 В: Qзатв: 18 нКл

IRLD024PBF Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 20 А: @Uзатв(ном): 1.2 В: Uзатв(макс): 10 В: Qзатв: 18 нКл, фото 1

97,50 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00032352

Компания временно не принимает заказы

IRLD024PBF Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 20 А: @Uзатв(ном): 1.2 В: Uзатв(макс): 10 В: Qзатв: 18 нКлIRLD024PBF Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 20 А: @Uзатв(ном): 1.2 В: Uзатв(макс): 10 В: Qзатв: 18 нКл
97,50 ₴
В наличии
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRLD024PBF Транзистор полевой MOSFET
Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 20 А: @Uзатв(ном): 1.2 В: Uзатв(макс): 10 В: Qзатв: 18 нКл
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00032352
Вид монтажаThrough Hole
Заряд затвора18 nC
Количество каналов1 Channel
Максимальная рабочая _x000D_ температура+ 175 C
Минимальная рабочая _x000D_ температура- 55 C
Напряжение _x000D_ затвор-исток- 10 V, + 10 V
Напряжение пробоя _x000D_ сток-исток60 V
Непрерывный ток _x000D_ утечки2.5 A
Полярность _x000D_ транзистораN-Channel
Пороговое напряжение _x000D_ затвор-исток1 V
Рассеивание мощности1.3 W
Сопротивление _x000D_ сток-исток100 mOhms
ТехнологияSi
  • Цена: 97,50 ₴