AONR66620 N-Channel 60 V 17.5A (Ta), 24A (Tc) 5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
AONR66620 Транзистор полевой MOSFET
N-Channel 60 V 17.5A (Ta), 24A (Tc) 5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-DFN-EP (3x3)
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00078190 |
| Входная емкость (Ciss, _x000D_ макс.) @ Vds | 1070 пФ @ 30 В |
| Заряд затвора (Qg, _x000D_ макс.) @ Vgs | 25 нКл @ 10 В |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвора (Vgs, макс.) | ±20 В |
| Напряжение сток-исток _x000D_ (Vdss) | 60 В |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвора (Vgs(th), макс.) @ Id | 3.6 В @ 250 мкА |
| Постоянный ток стока _x000D_ (Id) @ 25°C | 17.5 А (Ta), 24 А _x000D_ (Tc) |
| Рассеиваемая мощность _x000D_ (макс.) | 5 Вт (Ta), 27 Вт (Tc) |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток (Rds On, макс.) @ Id, Vgs | 9.1 мОм @ 20 А, 10 _x000D_ В |
| Температурный _x000D_ диапазон эксплуатации | -55°C ~ 150°C (Tj) |
| Технология | MOSFET (Metal _x000D_ Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) |
| Тип FET | N-канальный |
| Тип корпуса | 8-DFN-EP (3x3) |
| Тип монтажа | Поверхностный _x000D_ монтаж |
| Управляющее _x000D_ напряжение (Vgs) для максимального и минимального Rds On | 8 В, 10 В |
- Цена: 88,75 ₴

