HYG042N10NS1P Type: N. 200 W. 4.2mOhm. 2506 pf.

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
HYG042N10NS1P Транзистор полевой MOSFET
Type: N. 200 W. 4.2mOhm. 2506 pf.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | HUAYI |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00076382 |
| Время нарастания | 97 ns |
| Выходная емкость | 2506 pf |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность | 200 W |
| Максимальная _x000D_ температура канала | 175 °C |
| Максимально _x000D_ допустимый постоянный ток стока | 160 A |
| Общий заряд затвора | 119 nC |
| Полярность | N |
| Пороговое напряжение _x000D_ включения | 4 V |
| Предельно допустимое _x000D_ напряжение затвор-исток | 20 V |
| Предельно допустимое _x000D_ напряжение сток-исток | 100 V |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток открытого транзистора | 4.2mOhm |
- Цена: 80 ₴

