2N5210 NPN Single. Collector-Emitter Max: 50 V. Collector-Base: 50 V. Emitter-Base: 4.5 V. Collector-Emitter Saturation Voltage:
81,25 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00068920
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
2N5210 NPN Single. Collector-Emitter Max: 50 V. Collector-Base: 50 V. Emitter-Base: 4.5 V. Collector-Emitter Saturation Voltage:
81,25 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
2N5210 Транзистор биполярный
NPN Single. Collector-Emitter Max: 50 V. Collector-Base: 50 V. Emitter-Base: 4.5 V. Collector-Emitter Saturation Voltage: 700 mV. Maximum DC Collector Current: 50 mA. 350 mW. Gain Bandwidth Product fT: 30 MHz
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Samsung |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00068920 |
| Граничная частота _x000D_ коэффициента передачи тока | 30 МГц |
| Корпус | TO-92 |
| Коэффициент усиления _x000D_ транзистора по току (hfe) | от 200 до 600 |
| Напряжение _x000D_ коллектор-база, не более | 50 В |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер, не более | 50 В |
| Напряжение _x000D_ эмиттер-база, не более | 5 V |
| Рассеиваемая _x000D_ мощность коллектора, не более | 0.625 Вт |
| Структура | - n-p-n |
| Ток коллектора, не _x000D_ более | 0.1 А |
- Цена: 81,25 ₴
