STF10NM60N Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 0.55 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 19 нКл

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
STF10NM60N Транзистор полевой MOSFET
Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 0.55 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 19 нКл
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Qg - заряд затвора | 19 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 550 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Артикул | 00-00031199 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 12 ns |
| Время спада | 15 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | TO-220-3 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Серия | N-channel MDmesh |
| Технология | Si |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
- Цена: 76,25 ₴

