IRFD014PBF MOSFET силовой транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 14 А: Rси(вкл): 0.2 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс):

75 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

75 ₴

В наличии

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

+380 (97) 037-75-90или пишите на мэйл и чат
+380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
+380 (50) 547-59-69
Дмитрий
ул. Академика Павлова 120, Харьков, Украина

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя

Описание

Характеристики

Информация для заказа

IRFD014PBF Транзистор полевой MOSFET

MOSFET силовой транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 14 А: Rси(вкл): 0.2 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В

Основные
Производитель	Vishay Intertechnology
Дополнительные характеристики
Состояние	Новое
Пользовательские характеристики
Rds(On) (Макс.) при _x000D_ Id, Vgs	200 мОм при 1 А, _x000D_ 10 В
Vgs(th) (макс.) при _x000D_ Id	4 В при 250 мкА
Артикул	00-00032021
ВГС (Макс.)	±20 В
Входная емкость (Цисс.) _x000D_ (макс.) при Vds	310пФ при 25В
Корпус	4-DIP
Монтаж	Through Hole
Напряжение _x000D_ сток-исток (Vdss)	60В
Плата за ворота (Qg) _x000D_ (Макс.) при Vgs	11 нК при 10 В
Полярность _x000D_ транзистора	N-канал
Потеря мощности _x000D_ (макс.)	1,3 Вт (Та)
Продукт	МОП-транзистор _x000D_ (оксид металла)
Рабочая температура	От -55°C до 175°C _x000D_ (ТДж)
Рабочее напряжение _x000D_ (макс. Rds(Вкл.), мин. Rds(Вкл))	10 В
Ток — непрерывный, _x000D_ слив (Id) при 25°C	1,7 А (Та)