IPD70R900P7SAUMA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 3,5А, 30,5Вт

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IPD70R900P7SAUMA1 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 700В, 3,5А, 30,5Вт
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 30.5 W |
| Qg - заряд затвора | 6.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 740 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 700 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Артикул | 00-00054719 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 4.7 ns |
| Время спада | 31 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая температура | - 40 C...+ 150 C |
| Тип корпуса | TO-252-3 |
| Типичное время задержки выключения | 58 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
- Цена: 72,50 ₴

