Корзина

IRF820APBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:

IRF820APBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:, фото 1

65 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00031904
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
IRF820APBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:IRF820APBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
65 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRF820APBF Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 500 В: Iс(25°C): 10 А: Rси(вкл): 3 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 30 В
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00031904
Вид монтажаThrough Hole
Заряд затвора17 nC
Количество каналов1 Channel
Максимальная рабочая _x000D_ температура+ 150 C
Минимальная рабочая _x000D_ температура- 55 C
Напряжение _x000D_ затвор-исток- 30 V, + 30 V
Напряжение пробоя _x000D_ сток-исток500 V
Непрерывный ток _x000D_ утечки2.5 A
Полярность _x000D_ транзистораN-Channel
Пороговое напряжение _x000D_ затвор-исток4.5 V
Рассеивание мощности50 W
Сопротивление _x000D_ сток-исток3 Ohms
ТехнологияSi
  • Цена: 65 ₴