Корзина

IRFU120NPBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 9.1 А: Rси(вкл): 0.21 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:

IRFU120NPBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 9.1 А: Rси(вкл): 0.21 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:, фото 1

72,50 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00032264
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
IRFU120NPBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 9.1 А: Rси(вкл): 0.21 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:IRFU120NPBF MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 9.1 А: Rси(вкл): 0.21 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
72,50 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRFU120NPBF Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [I-Pak]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 9.1 А: Rси(вкл): 0.21 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
Основные
ПроизводительIR
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Id — сток _x000D_ постоянного тока9,1 А
Pd - потери мощности39 Вт
Qg - заряд затвора16,7 нКл
Rds On — _x000D_ сопротивление сток-исток210 мОм
Vds — напряжение _x000D_ пробоя сток-исток100 В
Vgs th - пороговое _x000D_ напряжение затвор-исток4 В
Vgs — напряжение _x000D_ затвор-исток— 20 В, + 20 В
Артикул00-00032264
Количество каналов1 канал
КорпусI-Pak
Максимальная рабочая _x000D_ температура+ 175 С
Минимальная рабочая _x000D_ температура- 55 С.
Полярность _x000D_ транзистораN-канальный
ПродуктМОП-транзистор
  • Цена: 72,50 ₴