FDS6675BZ MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FDS6675BZ Транзистор полевой MOSFET
MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | - 11 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | - 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Артикул | 00-00046452 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 7.8 ns |
| Время спада | 60 ns |
| Высота | 1.75 mm |
| Длина | 4.9 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PowerTrench |
| Конфигурация | Single Quad Drain Triple Source |
| Корпус | SO-8 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Серия | FDS6675BZ |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 120 ns |
| Типичное время задержки при включении | 3 ns |
| Ширина | 3.9 mm |
- Цена: 63,75 ₴

