IRF7201PBF MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 7 А: Rси(вкл): 30...50 мОм: @Uзатв(ном):

60 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

60 ₴

В наличии

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

+380 (97) 037-75-90или пишите на мэйл и чат
+380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
+380 (50) 547-59-69
Дмитрий
ул. Академика Павлова 120, Харьков, Украина

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя

Описание

Характеристики

Информация для заказа

IRF7201PBF Транзистор полевой MOSFET

MOSFET силовой транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N: Uси: 30 В: Iс(25°C): 7 А: Rси(вкл): 30...50 мОм: @Uзатв(ном): 4.5...10 В: Uзатв(макс): 20 В

Основные
Производитель	Infineon
Дополнительные характеристики
Состояние	Новое
Пользовательские характеристики
Rds включен (макс.) _x000D_ @ Id, Vgs	30 _x000D_ мОм при 7,3 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	1 _x000D_ В @ 250 мкА
Артикул	00-00031802
ВГС (Макс)	±20 _x000D_ В
Входная емкость (СНПЧ) _x000D_ (макс.) @ Vds	550 _x000D_ пФ при 25 В
Заряд затвора (Qg) (Макс.) _x000D_ @ Vgs	28 _x000D_ нК при 10 В
Корпус	SO-8
Напряжение привода (макс. _x000D_ показания включены, мин. значения включены)	4,5 _x000D_ В, 10 В
Напряжение стока к _x000D_ источнику (Vdss)	30 _x000D_ В
Рабочая температура	-55°C _x000D_ ~ 150°C (ТДж)
Рассеиваемая _x000D_ мощность (макс.)	2,5 _x000D_ Вт (Тс)
Тип монтажа	Поверхностный _x000D_ монтаж
Тип полевого _x000D_ транзистора	N-канал
Ток — непрерывный _x000D_ сток (Id) при 25°C	7,3 _x000D_ А (Тс)