NCE10TD60BK IGBT + Diode, N, 83 W, 600 V, 20 A @25℃, 15 nS, 40 pF, 44 nC.

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NCE10TD60BK Транзистор IGBT
IGBT + Diode, N, 83 W, 600 V, 20 A @25℃, 15 nS, 40 pF, 44 nC.
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00076405 |
| Время нарастания _x000D_ типовое | 15 nS |
| Выходная емкость, _x000D_ типовая | 40 pF |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность | 83 W |
| Максимальная _x000D_ температура перехода | 150 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор | 30 V |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер | 6 V |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора | 20 A @25℃ |
| Наименование | NCE10TD60BK |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер типовое | 1.7 V @25℃ |
| Общий заряд затвора, _x000D_ typ | 44 nC |
| Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер | 600 V |
| Тип транзистора | IGBT + Diode |
| Тип управляющего _x000D_ канала | N |
- Цена: 60 ₴

