IRFR4105PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 25 А: Rси(вкл): 45 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
![IRFR4105PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 25 А: Rси(вкл): 45 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:, фото 1](https://images.prom.ua/7435862211_irfr4105pbf-mosfet-silovoj.jpg)
58,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00032221
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
IRFR4105PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 25 А: Rси(вкл): 45 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
![IRFR4105PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 25 А: Rси(вкл): 45 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:](https://images.prom.ua/7435862211_w640_h640_irfr4105pbf-mosfet-silovoj.jpg)
58,75 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRFR4105PBF Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 25 А: Rси(вкл): 45 мОм: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Pd - рассеивание мощности | 48 W |
| Qg - заряд затвора | 22.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Артикул | 00-00032221 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 49 ns |
| Время спада | 40 ns |
| Высота | 2.3 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | SP001552188 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | TO-252-3 |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Технология | Si |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Ширина | 6.22 mm |
- Цена: 58,75 ₴
