HYG080N10LS1C2 100V 65A 9.4mΩ@4.5V,20A 71W 1V 1 N-channel MOSFETs

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
HYG080N10LS1C2 Транзистор полевой MOSFET
100V 65A 9.4mΩ@4.5V,20A 71W 1V 1 N-channel MOSFETs
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | HUAYI |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00078923 |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.07 нФ |
| Заряд затвора (Qg) | 30.2 нКл при 10 В |
| Корпус | TDFN-8 (5.2×5.9 _x000D_ мм) |
| Напряжение сток-исток _x000D_ (Vds) | 100 В |
| Обратная проходная _x000D_ ёмкость (Crss) | 39 пФ |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвора (Vgs(th)) | 1 В |
| Постоянный ток стока _x000D_ (Id) | 65 А |
| Рассеиваемая мощность _x000D_ (Pd) | 71 Вт |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток (RDS(on)) | 9.4 мΩ при 4.5 В, _x000D_ 20 А |
| Температура _x000D_ эксплуатации | от -55 °C до _x000D_ +175 °C |
| Тип | 1 N-канальный _x000D_ транзистор |
- Цена: 56,25 ₴

