SSS4N60B Транзистор, N-канал 600В 4А

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SSS4N60B Транзистор полевой MOSFET
Транзистор, N-канал 600В 4А
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Артикул | 00-00031185 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 55 ns |
| Время спада | 55 ns |
| Высота | 16.07 mm |
| Длина | 10.36 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | TO-220FP-3 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 70 ns |
| Типичное время задержки при включении | 20 ns |
| Ширина | 4.9 mm |
- Цена: 50 ₴

