FDD5614P MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.1...0.13 Ом
![FDD5614P MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.1...0.13 Ом, фото 1](https://images.prom.ua/7435850999_fdd5614p-mosfet-silovoj.jpg)
50 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00045984
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
FDD5614P MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.1...0.13 Ом
![FDD5614P MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.1...0.13 Ом](https://images.prom.ua/7435850999_w640_h640_fdd5614p-mosfet-silovoj.jpg)
50 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FDD5614P Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс(25°C): 15 А: Rси(вкл): 0.1...0.13 Ом
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00045984 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Заряд затвора | 24 nC |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая _x000D_ температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | - 55 C |
| Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 20 V, + 20 V |
| Напряжение пробоя _x000D_ сток-исток | 60 V |
| Непрерывный ток _x000D_ утечки | 15 A |
| Полярность _x000D_ транзистора | P-Channel |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвор-исток | 3 V |
| Рассеивание мощности | 42 W |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток | 76 mOhms |
| Технология | Si |
- Цена: 50 ₴
