STN1NK80Z Транзистор: N-MOSFET: полевой: 800В: 160мА: 2,5Вт

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
STN1NK80Z Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N-MOSFET: полевой: 800В: 160мА: 2,5Вт
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 7.7 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Артикул | 00-00031226 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 30 ns |
| Время спада | 55 ns |
| Высота | 1.8 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | SOT-223-3 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Серия | STQ1NK80ZR-AP |
| Технология | Si |
| Тип | Power MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Ширина | 3.5 mm |
- Цена: 48,75 ₴

