Корзина

IRF7807VD1PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В: Uзатв(макс): 20

IRF7807VD1PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В: Uзатв(макс): 20, фото 1

46,25 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00031884
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
IRF7807VD1PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В: Uзатв(макс): 20IRF7807VD1PBF MOSFET силовой транзистор - Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В: Uзатв(макс): 20
46,25 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRF7807VD1PBF Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rси(вкл): 25 мОм: @Uзатв(ном): 4.5 В: Uзатв(макс): 20 В: Qзатв: 9.5 нКл
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00031884
Вид каналаобогащенный
КорпусSO8
МонтажSMD
Напряжение _x000D_ сток-исток-30В
Полярностьполевой
Рассеиваемая _x000D_ мощность2,5Вт
ТехнологияHEXFET®
Тип транзистораN-MOSFET
Ток стока8,3А
  • Цена: 46,25 ₴