SI1308EDL-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,4А, Idm: 6А, 0,3Вт
40 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00070253
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
SI1308EDL-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,4А, Idm: 6А, 0,3Вт
40 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SI1308EDL-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 1,4А, Idm: 6А, 0,3Вт
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00070253 |
| Время нарастания | 9 ns |
| Время спада | 8 ns |
| Заряд затвора | 2.7 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая _x000D_ температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | - 55 C |
| Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 12 V, + 12 V |
| Напряжение пробоя _x000D_ сток-исток | 30 V |
| Непрерывный ток _x000D_ утечки | 1.5 A |
| Полярность _x000D_ транзистора | N-Channel |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвор-исток | 1.5 V |
| Рассеивание мощности | 400 mW |
| Серия | SI1 |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток | 132 mOhms |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
- Цена: 40 ₴
