IPD80R4K5P7ATMA1 Транзистор: N-MOSFET: полевой: 800В: 1А: 13Вт

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IPD80R4K5P7ATMA1 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N-MOSFET: полевой: 800В: 1А: 13Вт
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 13 W |
| Qg - заряд затвора | 4 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Артикул | 00-00058522 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 15 ns |
| Время спада | 80 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | - 50 C...+150 С |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Серия | CoolMOS P7 |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | TO-252-3 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 60 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
- Цена: 31,25 ₴

