SI2308BDS-T1-GE3 МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
26,25 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00051185
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
SI2308BDS-T1-GE3 МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
26,25 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SI2308BDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
МОП-транзистор: 1 N-Channel, 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.09 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 156 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Артикул | 00-00051185 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 16 ns |
| Время спада | 16 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Тип корпуса | SOT-23-3 |
| Типичное время задержки выключения | 11 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
- Цена: 26,25 ₴
