Корзина

NTZD5110NT1G Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,225А, 0,28Вт

NTZD5110NT1G Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,225А, 0,28Вт, фото 1

25 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00065643
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
NTZD5110NT1G Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,225А, 0,28ВтNTZD5110NT1G Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,225А, 0,28Вт
25 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NTZD5110NT1G Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,225А, 0,28Вт
Основные
ПроизводительONS
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Id - непрерывный ток утечки294 mA
Pd - рассеивание мощности250 mW
Qg - заряд затвора700 pC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1.6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
Vgs - напряжение затвор-исток- 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Артикул00-00065643
Вид монтажаSMD/SMT
Время нарастания7.3 ns
Время спада7.3 ns
Канальный режимEnhancement
Количество каналов2 Channel
КонфигурацияDual
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Минимальная рабочая температура- 55 C
Полярность транзистораN-Channel
Тип транзистора2 N-Channel
Типичное время задержки выключения63.7 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
  • Цена: 25 ₴