IRF5803D2PBF Транзистор: P-MOSFET, польовий, -40В, -3,4А, 2Вт

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IRF5803D2PBF Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, польовий, -40В, -3,4А, 2Вт
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | IR |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00031759 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Заряд затвора | 25 nC |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая _x000D_ температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | - 55 C |
| Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 20 V, + 20 V |
| Напряжение пробоя _x000D_ сток-исток | 40 V |
| Непрерывный ток _x000D_ утечки | 3.4 A |
| Полярность _x000D_ транзистора | P-Channel |
| Рассеивание мощности | 2 W |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток | 190 mOhms |
| Технология | Si |
- Цена: 25 ₴

