Корзина

SIS412DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 12А, Idm: 30А, 10Вт

SIS412DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 12А, Idm: 30А, 10Вт, фото 1
  • SIS412DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 12А, Idm: 30А, 10Вт, фото 2

48,75 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00077267
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
SIS412DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 12А, Idm: 30А, 10ВтSIS412DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 12А, Idm: 30А, 10Вт
48,75 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SIS412DN-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 30В, 12А, Idm: 30А, 10Вт
Основные
ПроизводительVishay Intertechnology
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00077267
Вид каналаобогащенный
Заряд затвора12нC
КорпусPowerPAK® 1212-8
МонтажSMD
Напряжение _x000D_ затвор-исток±20В
Напряжение сток-исток30В
Полярностьполевой
Рассеиваемая мощность10Вт
Сопротивление в _x000D_ открытом состоянии24мОм
Тип транзистораN-MOSFET
Ток стока-12А
Ток стока в _x000D_ импульсном режиме30А
  • Цена: 48,75 ₴