Корзина

MMBFJ177LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА

MMBFJ177LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА, фото 1

17,50 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00032507
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
MMBFJ177LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мАMMBFJ177LT1G ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА
17,50 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
MMBFJ177LT1G Транзистор полевой MOSFET
ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), полевой транзистор с p-n переходом, 30 В, -1.5 мА, -20 мА
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00032507
Входная емкость (Цисс.) _x000D_ (макс.) при Vds14пФ при 15В
КорпусSOT-23
Мощность - Макс.225 МВт
Напряжение _x000D_ сток-исток (Vdss)30 В
Напряжение – _x000D_ выключение (VGS выключено) при Id500 мВ при 10 нА
Напряжение – пробоя _x000D_ (В(BR)GSS)30 В
Рабочая температураОт -55°C до 150°C _x000D_ (ТДж)
Резистор - RDS(Вкл.)100 Ом
Тип полевого _x000D_ транзистораN-канал
Ток-сток (Idss) при _x000D_ Vds (Vgs=0)5 мА при 15 В
  • Цена: 17,50 ₴