MMBFJ309LT1G RF JFET, N CHANNEL, 25V, SOT-23: Breakdown Voltage Vbr:-25V: Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-4V: Power
21,25 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00032508
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
MMBFJ309LT1G RF JFET, N CHANNEL, 25V, SOT-23: Breakdown Voltage Vbr:-25V: Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-4V: Power
21,25 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
MMBFJ309LT1G Транзистор полевой MOSFET
RF JFET, N CHANNEL, 25V, SOT-23: Breakdown Voltage Vbr:-25V: Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max:-4V: Power Dissipation Pd:225mW
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 25 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Артикул | 00-00032508 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | JFET |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Серия | MMBFJ309L |
| Тип | JFET |
| Ток стока при Vgs=0 | 12 mA to 30 mA |
- Цена: 21,25 ₴
