SI2302DDS-T1-GE3 MOSFET 20V Vds 8V Vgs

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SI2302DDS-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET
MOSFET 20V Vds 8V Vgs
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.9 A |
| Pd - рассеивание мощности | 860 mW |
| Qg - заряд затвора | 3.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 57 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 850 mV |
| Артикул | 00-00068950 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
- Цена: 20 ₴

