BST82.215 N-Channel 100V 190mA (Ta) 830mW (Tc)

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
BST82.215 Транзистор полевой MOSFET
N-Channel 100V 190mA (Ta) 830mW (Tc)
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток утечки | 190 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 830 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Артикул | 00-00031589 |
| Вес изделия | 8 mg |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | SOT-23-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
- Цена: 18,75 ₴

