MMBT6520LT1G Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 350 В: IК(макс): 50 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 40 МГц: h21:
![MMBT6520LT1G Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 350 В: IК(макс): 50 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 40 МГц: h21:, фото 1](https://images.prom.ua/7430296764_mmbt6520lt1g-bipolyarnyj-tranzistor.jpg)
13,75 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00032524
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
MMBT6520LT1G Транзистор биполярный
Биполярный транзистор - [SOT-23-3]: Тип: PNP: UКЭ(макс): 350 В: IК(макс): 50 мА: Pрасс: 225 мВт: Fгран: 40 МГц: h21: 30...200
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 225 mW |
| Артикул | 00-00032524 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.94 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | - 350 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | - 350 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | - 1 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | - 0.5 A |
| Полярность транзистора | PNP |
| Серия | MMBT6520L |
| Ширина | 1.3 mm |
- Цена: 13,75 ₴

