MMBF170LT1G MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
![MMBF170LT1G MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:, фото 1](https://images.prom.ua/7430295536_mmbf170lt1g-mosfet-silovoj.jpg)
12,50 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00032505
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
MMBF170LT1G MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:
![MMBF170LT1G MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В:](https://images.prom.ua/7430295536_w640_h640_mmbf170lt1g-mosfet-silovoj.jpg)
12,50 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
MMBF170LT1G Транзистор полевой MOSFET
MOSFET силовой транзистор - [SOT-23-3]: Тип: N: Uси: 60 В: Iс(25°C): 500 мА: Rси(вкл): 5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Uзатв(макс): 20 В
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Rds(On) (Макс.) при _x000D_ Id, Vgs | 5 Ом при 200 мА, _x000D_ 10 В |
| Vgs(th) (макс.) при _x000D_ Id | 3 В при 1 мА |
| Артикул | 00-00032505 |
| ВГС (Макс.) | ±20 В |
| Входная емкость (Цисс.) _x000D_ (макс.) при Vds | 60пФ при 10В |
| Корпус | SOT-23 |
| Напряжение _x000D_ сток-исток (Vdss) | 60В |
| Потеря мощности _x000D_ (макс.) | 225 мВт (Та) |
| Продукт | МОП-транзистор |
| Рабочая температура | От -55°C до 150°C _x000D_ (ТДж) |
| Рабочее напряжение _x000D_ (макс. Rds(Вкл.), мин. Rds(Вкл)) | 10 В |
| Тип полевого _x000D_ транзистора | N-канал |
| Ток — непрерывный, _x000D_ слив (Id) при 25°C | 500 мА (Та) |
- Цена: 12,50 ₴
