BC847CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 45 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 200 мВт: Fгран: 100 МГц: h21:

3,75 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

3,75 ₴

В наличии

+380 (97) 037-75-90

или пишите на мэйл и чат

+380 (97) 037-75-90или пишите на мэйл и чат
+380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
+380 (50) 547-59-69
Дмитрий
ул. Академика Павлова 120, Харьков, Украина

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя

Описание

Характеристики

Информация для заказа

BC847CW.115 Транзистор биполярный

Биполярный транзистор - [SOT-323-3]: Тип: NPN: UКЭ(макс): 45 В: IК(макс): 100 мА: Pрасс: 200 мВт: Fгран: 100 МГц: h21: 420...800

Дополнительные характеристики
Состояние	Новое
Пользовательские характеристики
Артикул	00-00031376
Категория продукта	Биполярные _x000D_ транзисторы - BJT
Конфигурация	Одиночная
Корпус	SOT-323-3
Коэффициент усиления _x000D_ постоянного тока hFE макс.	420 при 2 мА, 5 В
Коэффициент усиления _x000D_ постоянного тока коллектора/базы hFE мин.	420 при 2 мА, 5 В
Максимальная рабочая _x000D_ температура	+150 °C
Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора	100 мА
Минимальная рабочая _x000D_ температура	-65 °C
Монтаж	SMD/SMT
Напряжение _x000D_ коллектор-база VCBO	50 В
Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер VCEO макс.	45 В
Напряжение _x000D_ эмиттер-база VEBO	6 В
Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер	200 мВ
Полярность _x000D_ транзистора	NPN
Произведение _x000D_ коэффициента усиления полосы пропускания fT	100 МГц
Рассеиваемая мощность _x000D_ Pd	200 мВт