IRFD220PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 6.4 А: Rсі (вкл): 0.8 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
![IRFD220PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 6.4 А: Rсі (вкл): 0.8 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:, фото 1](https://images.prom.ua/6935137209_irfd220pbf-mosfet-silovij.jpg)
70 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00032027
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IRFD220PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 6.4 А: Rсі (вкл): 0.8 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:
![IRFD220PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 6.4 А: Rсі (вкл): 0.8 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В:](https://images.prom.ua/6935137209_w640_h640_irfd220pbf-mosfet-silovij.jpg)
70 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRFD220PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 200 В: Iс (25 ° C): 6.4 А: Rсі (вкл): 0.8 Ом: @ Uзатв (ном): 10 В: Uзатв (макс): 20 В
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 1W (Ta) |
| Місткість затвора | 260 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 14 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 200 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 0.8 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 800mOhm @ 480mA 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | HD1 |
- Ціна: 70 ₴
