IPD80R1K4P7 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 2,7А, 32Вт
112,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00054722
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IPD80R1K4P7 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 2,7А, 32Вт
112,50 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPD80R1K4P7 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 2,7А, 32Вт
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 32W (Tc) |
| Місткість затвора | 250 pF @ 500 V |
| Заряд затвора | 10 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±30V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 800 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 2.7 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3.5V @ 700µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 1.4Ohm @ 1.4A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-252 |
- Ціна: 112,50 ₴
