IPD78CN10NGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 13А, 31Вт
73,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00054720
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IPD78CN10NGATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 13А, 31Вт
73,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPD78CN10NGATMA1 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 13А, 31Вт
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 31W (Tc) |
| Місткість затвора | 716 pF @ 50 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 11 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 100 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 13 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 12µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 78mOhm @ 13A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-252 |
- Ціна: 73,75 ₴
