IPB180P04P403ATMA2 Power MOSFET, P Channel, 40 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPB180P04P403ATMA2 Транзистор польовий MOSFET
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Користувальницькі характеристики | |
| Id — безперервний струм _x000D_ утечки | 180 A |
| Pd — розсіювання _x000D_ мощности | 150 W |
| Qg - заряд затвора | 190 nC |
| Rds Вкл - _x000D_ опір стік-висток | 2 mOhms |
| Vds — напруга _x000D_ пробою стік-висток | 40 V |
| Vgs — напруга _x000D_ Затвор-висток | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th — порожеве _x000D_ напруга затвора-висток | 3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Час наростання | 31 ns |
| Час спаду | 81 ns |
| Канальний режим | Enhancement |
| Кількість каналів | 1 Channel |
| Полярність _x000D_ транзизора | P-Channel |
| Робоча температура | - 55 C … + 175 C |
| Тип корпусу | TO-263-7 |
| Технологія | Si |
| Тип транзизора | 1 P-Channel |
| Типовий час _x000D_ затримки вимикання | 72 ns |
| Типовий час _x000D_ затримки під час увімкнення | 48 ns |
- Ціна: 762,50 ₴

