IPB017N10N5ATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 180А, 375Вт, PG-TO263-7
885 ₴
- В наявності
- Код: 00-00064891
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IPB017N10N5ATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 180А, 375Вт, PG-TO263-7
885 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPB017N10N5ATMA1 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 100В, 180А, 375Вт, PG-TO263-7
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 375W (Tc) |
| Місткість затвора | 15600 pF @ 50 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 6V 10V |
| Заряд затвора | 210 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 100 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 180 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3.8V @ 279µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 1.7mOhm @ 100A, 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-263-7 |
- Ціна: 885 ₴
