CRST040N10N SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3mΩ, 120A

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
CRST040N10N Транзистор польовий MOSFET
SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.3mΩ, 120A
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 227W (Tc) |
| Місткість затвора | 6920 pF @ 50 V |
| Заряд затвора | 117 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 100 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 120 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 4mOhm @ 50A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-220 |
- Ціна: 67,50 ₴

