C2M0280120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кв, 10А, 62,5Вт, TO247-3
1 188,75 ₴
- В наявності
- Код: 00-00072506
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
C2M0280120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кв, 10А, 62,5Вт, TO247-3
1 188,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
C2M0280120D Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кв, 10А, 62,5Вт, TO247-3
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 62.5W (Tc) |
| Місткість затвора | 259 pF @ 1000 V |
| Заряд затвора | 20.4 nC @ 20 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | -10/+25V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 1200 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 10 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 2.8V @ 1.25mA |
| Опір каналу у відкритому стані | 370mOhm @ 6A 20V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-247 |
- Ціна: 1 188,75 ₴
