STGIPN3H60AT Умный модуль питания (IPM), 3 фазы, IGBT, 600 В, 3 А, 1 кВ, NDIP, SLLIMM

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
STGIPN3H60AT Модуль IGBT транзисторов
Умный модуль питания (IPM), 3 фазы, IGBT, 600 В, 3 А, 1 кВ, NDIP, SLLIMM
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | STMicroelectronics |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности: | 8 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Диапазон рабочих температур | - 40 C to + 150 C |
| Категория продукта: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | 3-Phase Inverter |
| Корпус | NDIP-26L |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 600 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 2.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 3 A |
| Продукт: | IGBT Silicon Modules |
| Серия | STGIPN3H60AT |
- Цена: 962,50 ₴

