SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SGT75T65SDM1P7 Транзистор IGBT
416 Вт, 650 В, 150 А
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Silan Microelectronics |
| Пользовательские характеристики | |
| Время включения | 42ns |
| Заряд затвора | 180 nC |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 416 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напряжение затвор - эмиттер, В | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.65 |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Ток коллектора, А | 75 |
- Цена: 358,75 ₴

