SGT75T65SDM1P7 416 Вт, 650 В, 150 А

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SGT75T65SDM1P7 Транзистор IGBT
416 Вт, 650 В, 150 А
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час увімкнення | 42ns |
| Заряд затвора | 180 nC |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 416 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напруга затвора — еміттер, В | 20 |
| Напруга колектор-емітер, В | 650 |
| Напруга насичення колектор-емітер, В | 1.65 |
| Тип корпусу | TO-247 |
| Струм колектора, А | 75 |
- Ціна: 343,75 ₴

