SGT60T65FD1PN 450 Вт, 650 В, 120 А

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SGT60T65FD1PN Транзистор IGBT
450 Вт, 650 В, 120 А
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Silan Microelectronics |
| Пользовательские характеристики | |
| Время включения | 55ns |
| Время выключения | 125ns |
| Заряд затвора | 110 nC |
| Макс. рабочая температура, С | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 450 |
| Мин. рабочая температура, С | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напряжение затвор - эмиттер, В | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 650 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2.2 |
| Тип корпуса | TO-3P |
| Ток коллектора, А | 120 |
- Цена: 272,50 ₴

