SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT 650V 50A/100A

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SGT50T65FD1PN Транзистор IGBT
Транзистор IGBT 650V 50A/100A
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час увімкнення | 45ns |
| Час вимкнення | 125ns |
| Заряд затвора | 148 nC |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 235 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напруга затвора — еміттер, В | 20 |
| Напруга колектор-емітер, В | 650 |
| Тип корпусу | TO-3P |
| Струм колектора, А | 50 |
- Ціна: 120 ₴

